14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003ANT1
Table 7. Class AB Common Source S-Parameters (VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, T
A
= 25
°C, 50 Ω
system)
(continued)
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
6.000
0.865
-38.7
1.157
-157.8
0.0584
-160.9
0.353
-7.8
6.025
0.866
-40.2
1.147
-159.3
0.0582
-162.1
0.356
-9.8
6.050
0.868
-41.7
1.136
-160.8
0.0580
-163.3
0.360
-11.8
6.075
0.869
-43.1
1.126
-162.3
0.0577
-164.3
0.363
-13.9
6.100
0.871
-44.6
1.115
-163.8
0.0576
-165.4
0.367
-15.9
6.125
0.872
-46.1
1.103
-165.3
0.0574
-166.4
0.370
-17.9
6.150
0.874
-47.5
1.093
-166.8
0.0574
-167.4
0.375
-19.9
6.175
0.875
-49.0
1.081
-168.3
0.0573
-168.5
0.379
-21.8
6.200
0.876
-50.4
1.070
-169.8
0.0572
-169.6
0.383
-23.7
6.225
0.877
-51.9
1.059
-171.3
0.0571
-170.7
0.388
-25.6
6.250
0.879
-53.3
1.047
-172.8
0.0570
-171.9
0.393
-27.5
6.275
0.880
-54.7
1.036
-174.3
0.0568
-173.0
0.398
-29.3
6.300
0.881
-56.1
1.024
-175.8
0.0567
-174.0
0.403
-31.1
6.325
0.883
-57.6
1.013
-177.3
0.0566
-175.0
0.407
-32.9
6.350
0.884
-59.0
1.001
-178.8
0.0565
-176.0
0.412
-34.6
6.375
0.886
-60.4
0.989
179.7
0.0566
-176.9
0.417
-36.4
6.400
0.887
-61.8
0.978
178.3
0.0567
-177.9
0.422
-38.1
6.425
0.888
-63.2
0.966
176.8
0.0569
-178.9
0.427
-39.8
6.450
0.890
-64.6
0.954
175.3
0.0571
-180.0
0.432
-41.5
6.475
0.891
-66.0
0.942
173.8
0.0573
178.9
0.437
-43.2
6.500
0.892
-67.4
0.930
172.3
0.0577
177.8
0.443
-44.9
6.525
0.893
-68.7
0.918
170.9
0.0580
176.6
0.448
-46.6
6.550
0.894
-70.2
0.906
169.4
0.0584
175.3
0.453
-48.3
6.575
0.896
-71.5
0.894
167.9
0.0588
174.0
0.459
-50.0
6.600
0.897
-72.8
0.882
166.5
0.0592
172.8
0.465
-51.7
6.625
0.898
-74.2
0.870
165.0
0.0599
171.5
0.471
-53.3
6.650
0.898
-75.6
0.858
163.6
0.0608
170.2
0.478
-55.0
6.675
0.900
-76.9
0.847
162.2
0.0618
168.5
0.484
-56.6
6.700
0.901
-78.2
0.835
160.8
0.0629
166.5
0.490
-58.2
6.725
0.900
-79.5
0.824
159.3
0.0638
164.2
0.496
-59.8
6.750
0.901
-80.8
0.812
157.9
0.0645
161.8
0.503
-61.3
6.775
0.902
-82.1
0.801
156.5
0.0652
159.4
0.509
-62.8
6.800
0.903
-83.3
0.790
155.1
0.0657
156.8
0.515
-64.3
6.825
0.903
-84.5
0.779
153.8
0.0665
154.2
0.522
-65.7
6.850
0.903
-85.7
0.768
152.4
0.0671
151.1
0.528
-67.1
6.875
0.903
-86.9
0.757
151.0
0.0676
147.8
0.533
-68.4
6.900
0.904
-88.0
0.747
149.6
0.0674
144.2
0.539
-69.7
6.925
0.904
-89.1
0.736
148.3
0.0670
140.7
0.545
-70.9
6.950
0.904
-90.0
0.725
146.9
0.0663
136.8
0.551
-72.0
6.975
0.906
-91.1
0.715
145.6
0.0649
132.7
0.556
-73.0
7.000
0.907
-92.0
0.704
144.3
0.0624
129.1
0.562
-73.9
7.025
0.908
-93.0
0.693
143.0
0.0599
126.2
0.569
-74.9
7.050
0.910
-93.9
0.682
141.7
0.0574
123.6
0.576
-75.7
7.075
0.911
-94.8
0.671
140.5
0.0550
121.6
0.583
-76.6
(continued)
相关PDF资料
MRFG35003M6T1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35003MT1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
MRFG35003N6AT1 TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
MRFG35003N6T1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35005ANT1 TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5
MRFG35005MT1 MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
MRFG35005NT1 MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
MRFG35010ANT1 TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
相关代理商/技术参数
MRFG35003M6R5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003M6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003M6T1_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003N6AT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35003N6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NR5 功能描述:TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR